磁気軸受形 ターボ分子ポンプ
TGkineMI-Bシリーズ
反応生成物対策型磁気軸受形ターボ分子ポンプ（コントローラ・電源一体型）
製品特長
反応生成物が堆積しやすい装置向けとして、当社独自の断熱構造/自己昇温機構を採用し、反応生成物堆積率を大幅に減少させたシリーズです。
- 従来磁気軸受形ターボ分子ポンプの反応生成物対策
対象部位を含めた周囲全体をヒーティングする方法
・熱が分散する。有効利用できない。
・対象部位外への熱影響
- TGkineMI-Bシリーズによる対策
外部ヒータによる昇温に加え、ポンプ内部で発生する吸引ガスとの摩擦熱を有効利用して、接ガス部を効率よく昇温
・外部ヒータの出力を抑えることができ、省エネ効果が向上！！
・主要部位への熱影響をおさえ、ポンプへのダメージを低減。
・最適な温度を維持し、排気配管内の生成物発生を防止。
用途
- 半導体、FPD、MEMS製造等のエッチング装置
- 反応生成物が発生しやすいプロセス装置
仕様一覧
仕様
| 機種名※1 | TGkine 2200MI-B | TGkine 3300MI-B | TGkine 3400MI-B | TGkine 3800MI-B | TGkine 4200MI-B | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 吸気口 | ISO-B250 / VG250 | ISO-B320 / VG300 | VG350 | ISO-B320 / VG300 | VG350 | |
| 排気速度 | N₂(L/s) | 2200 | 3300 | 3600 | 4200 | |
| N₂(保護金網付)(L/s) | 2100 | 3100 | 3400 | 4000 | ||
| Ｈ₂(L/s) | 1800 | 2700 | ||||
| 最大圧縮比 | N₂ | ＞2×10⁸ | ＞1×10⁸ | ＞2×10⁸ | ||
| H₂ | ＞3×10³ | 2×10³ | ||||
| 到達圧力 | Pa | ＜2×10⁻⁷ | ＜5×10⁻⁷ | |||
| Torr | ＜1.5×10⁻⁹ | ＜3.8×10⁻⁹ | ||||
| 最大ガス流量※2 | N₂(sccm) | 5000 | 2500 | 2800 | ||
| Ar(sccm) | 3000 | 1800 | 2100 | |||
| 起動時間 | min | ≦10 | ≦11 | ≦12 | ||
| 停止時間 | min | ≦10 | ≦13 | ≦14 | ||
| 許容補助圧力 | Pa | 100 | 110 | 100 | ||
| Torr | 0.75 | 0.82 | 0.75 | |||
| 推奨補助ポンプ | L/min | ≧2000 | ||||
| 質量 (kg) | 65 | ISO-B：74 VG：73 |
76 | ISO-B：89 VG：87 |
84 | |
※1：TGkine1700MI-Bに関しては、別途お問合わせください。
※2：排気口部の補助排気速度を5000L/minとした場合の値です。
外観寸法図
※吸気口フランジボルト穴は中心線振分。
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性能曲線
詳しくは営業担当者までお問合せ下さい。
