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反応生成物対応 磁気軸受形複合分子ポンプTGkine-MIシリーズ

　反応生成物が堆積しやすい装置向けとして、当社独自の断熱構造/自己昇温機構（特許第3098140）を採用し、反応生成物堆積率を大幅に減少させたシリーズです。

■従来の反応生成物対策

　対象部位を含めた周囲全体をヒーティングする方法

　・熱が分散する。/有効利用できない。

　・対象部位外への熱影響

■TGkine-MIシリーズによる対策

　外部ヒータによる昇温に加え、ポンプ内部で発生する吸引ガスとの摩擦熱を有効利用して、接ガス部を効率よく昇温

　・外部ヒータの出力を抑えることができ、省エネ効果が向上！！

　・主要部位への熱影響をおさえ、ポンプへのダメージを低減。

　・排気配管にも断熱材を採用。最適な温度を維持し、排気配管内の生成物発生を防止。

用途

・半導体、FPD、MEMS製造等のエッチング装置

・反応生成物が発生しやすいプロセス装置

• 仕様
• 外観寸法図
• 性能曲線

仕様

型式		TGkine2200MI	TGkine3300MI/TGkine3400MI
吸気口フランジ		ISO-B250	ISO-B320/VG300/VG350
排気速度	N2(L/s)	2200	3300
	N2(保護金網付)(L/s)	2100	3100
	H2(L/s)	1800	2700
最大圧縮比	N2	> 2×108	> 1×108
	H2	3×103
到達圧力	(Pa/Torr)	< 2×10-7/1.5×10-9
最大ガス流量	N2(sccm)	5000	2500
	Ar(sccm)	2600	1800
起動時間 (min)		≦10	≦11
停止時間 (min)		≦10	≦13
許容補助圧力	(Pa)	100	100/110
	(Torr)	0.75	0.75/0.82
推奨補助ポンプ (L/min)		≧2000
質量 (kg)		65	73/74/76

外観寸法図

詳しくは営業担当者までお問合せ下さい。

性能曲線

詳しくは営業担当者までお問合せ下さい。