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反応生成物対策型 TGkineMI-Bシリーズ

  • 反応生成物対策型 TGkineMI-Bシリーズ

反応生成物が堆積しやすい装置向けとして、当社独自の断熱構造/自己昇温機構を採用し、反応生成物堆積率を大幅に減少させたシリーズです。

 

  • 従来磁気軸受形ターボ分子ポンプの反応生成物対策

対象部位を含めた周囲全体をヒーティングする方法
・ 熱が分散する。有効利用できない。
・ 対象部位外への熱影響

  • TGkineMI-Bシリーズによる対策

外部ヒータによる昇温に加え、ポンプ内部で発生する吸引ガスとの摩擦熱を有効利用して、接ガス部を効率よく昇温
・外部ヒータの出力を抑えることができ、省エネ効果が向上!!
・主要部位への熱影響をおさえ、ポンプへのダメージを低減。
・最適な温度を維持し、排気配管内の生成物発生を防止。

 

用途

  • 半導体、FPD、MEMS製造等のエッチング装置
  • 反応生成物が発生しやすいプロセス装置

仕様

 

外観寸法図

詳しくは営業担当者までお問合せ下さい。

性能曲線

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