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反応生成物対応 磁気軸受形複合分子ポンプTGkine-MIシリーズ

  • 反応生成物対応 磁気軸受形複合分子ポンプTGkine-MIシリーズ

 反応生成物が堆積しやすい装置向けとして、当社独自の断熱構造/自己昇温機構(特許第3098140)を採用し、反応生成物堆積率を大幅に減少させたシリーズです。

■従来の反応生成物対策

 対象部位を含めた周囲全体をヒーティングする方法

 ・熱が分散する。/有効利用できない。

 ・対象部位外への熱影響

 

■TGkine-MIシリーズによる対策

 外部ヒータによる昇温に加え、ポンプ内部で発生する吸引ガスとの摩擦熱を有効利用して、接ガス部を効率よく昇温

 ・外部ヒータの出力を抑えることができ、省エネ効果が向上!!

 ・主要部位への熱影響をおさえ、ポンプへのダメージを低減。

 ・排気配管にも断熱材を採用。最適な温度を維持し、排気配管内の生成物発生を防止。

用途

・半導体、FPD、MEMS製造等のエッチング装置

・反応生成物が発生しやすいプロセス装置


仕様

型式 TGkine2200MI TGkine3300MI/TGkine3400MI
吸気口フランジ ISO-B250 ISO-B320/VG300/VG350
排気速度 N2(L/s) 2200 3300
N2(保護金網付)(L/s) 2100 3100
H2(L/s) 1800 2700
最大圧縮比 N2 > 2×108 > 1×108
H2 3×103
到達圧力  (Pa/Torr) < 2×10-7/1.5×10-9
最大ガス流量 N2(sccm) 5000 2500
Ar(sccm) 2600 1800
起動時間 (min) ≦10 ≦11
停止時間 (min) ≦10 ≦13
許容補助圧力 (Pa) 100 100/110
(Torr) 0.75 0.75/0.82
推奨補助ポンプ (L/min) ≧2000
質量 (kg)  65 73/74/76

外観寸法図

外観寸法図


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性能曲線

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